Speicherfamilien
Einführung
Einführung
Wir unterscheiden flüchtige (RAM)
und nichtflüchtige Speicher (ROM).
In der Rechnertechnik werden RAMS als Arbeitsspeicher zur vorübergehenden
Speicherung von Daten eingesetzt.
In der Regel ist dieser Arbeitsspeicher ungepuffert ausgeführt
und deshalb sein Inhalt nach einer Unterbrechung der Betriebsspannung nicht
mehr definiert.
Der Festwertspeicher hält die Daten in nichtlöschbarer Form
vor. (z.B. BIOS PROM auf Motherboard). Beim Abschalten der Versorgungsspannungen
bleibt der Inhalt des ROM's erhalten.
R(andom) A(ccess) M(emory)
Der Schreib-Lese-Speicher gibt einen wahlfreien (engl.: random - dt.:
zufällig) Lese oder Schreibzugriff auf seine Speicherzellen. RAM-Bausteine
sind nach zwei technologischen Prinzipien, als statische (SRAM)
und dynamische Speicher verwirklicht. Als innovativer Schrittmacher hinzu
immer höherintegrierter Bausteine dient die DRAM-Technologie.
R(ead) O(nly) M(emory)
Maskenprogrammierte Speicher bereits bei der Herstellung mit
den gewünchten Daten versehen werden. Der Kunde gibt den Speicherinhalt
in Form einer Maske vor. Der Speicherinhalt ist später nicht mehr
veränderbar.
Für den Einsatz "im Feld" sind ROM Bausteine sind als sogenannte
OTP oder als Programmable Type verfügbar.
Zu den letzteren gehören EPROM- und
FLASH- Bausteine. Das EPROM
im Keramikgehäuse und Quarzfenster muss unter UV-Licht gelöscht
werden. Beim FLASH-Baustein, im kostengünstigen Plastikgehäuse,
wird mit Hilfe einer elektrischen Spannung (auch in der Schaltung!) die
Information der Speicherzellen gelöscht. FLASH PROMS können
im Gegensatz zu den EEPROMS nur als ganzer Baustein oder in Blöcken
gelöscht und wieder beschrieben werden.
Beim EEPROM erfolgt kann jede einzelne Speicherzelle
ohne Einfluss auf andere Speicherzellen gelöscht und wieder beschrieben
werden.
W.Spieß 1/98