Glossar
EPROM
Erasable Read Only Memory

OTP

One Time Programmable (Device)

PROM

Programmable Read Only Memory

ROM

 Read Only Memory

EPROM Speicher

Im Sinne der Programmierbaren Logik besitzt ein EPROM  eine festverdrahtete Eingangs-UND-Matrix und eine freiverknüpfbare Ausgangs-UND Matrix.
Nach dem Anlegen der Programmierspannung (je nach Type 21V bzw. 12V) durchqueren sogenannte "heiße Elektronen" durchqueren vom Source her eine Oxidschicht zum Floating Gate und werden dort gesammelt.
Der Löschprozess wird durch UV-Strahlung bewerkstelligt, wobei die Strahlungsenergie des Lichtes die Elektronen aus dem Floating Gate löst. EPROMS sind dehalb im teureren Keramikgehäuse mit einem Quarzfenster ausgestattet. Ein  Löschvorgang ist im Gegensatz zu den FLASH-PROMS sehr zeitaufwendig. Nach dem Löschvorgang stehen je nach EPROM-Type nur logische Nullen oder logische Einsen im EPROM.
Die Hersteller garantieren ca. 100 Reprogrammierzyklen. Folgende Tabelle zeigt die Speicherorganisation der Standardtypen.
 
Organisation ROM Type
4k * 8 27(C)32
8k * 8 27(C)64
16k * 8 27(C)128
  32k * 8 27(C)256
  64k * 8 27(C)512
128k * 8 27C010
 
 In der nachstehenden EProm Vergleichstabelle sind die Typen 2716 bis 271024/27010 erfasst. Felder mit "- -" besagen, dass diese Pins beim entsprechenden Gehäuse nicht existieren. N.C. aus dem Neudeutschen bedeutet not connected (internal).
 
   
'1024 '512 '256 '128 '64 '32 '16
Vpp - - - - - - - - - - - -
A16 - - - - - - - - - - - -
- - A15 Vpp Vpp Vpp - - - -
A12 A12 A12 A12 A12 - - - -
A7 A7 A7 A7 A7 A7 A7
A6 A6 A6 A6 A6 A6 A6
A5 A5 A5 A5 A5 A5 A5
A4 A4 A4 A4 A4 A4 A4
A3 A3 A3 A3 A3 A3 A3
A2 A2 A2 A2 A2 A2 A2
A1 A1 A1 A1 A1 A1 A1
A0 A0 A0 A0 A0 A0 A0
D0 D0 D0 D0 D0 D0 D0
D1 D1 D1 D1 D1 D1 D1
D2 D2 D2 D2 D2 D2 D2
GND GND GND GND GND GND GND
 		 27.. 
'16 '32 '64 '128 '256 '512 '1024
- - - - - - - - - - - - VCC
- - - - - - - - - - - - PGM
- - - - VCC VCC VCC VCC NC
- - - - /PGM /PGM A14 A14 A14
VCC VCC N.C. A13 A13 A13 A13
A8 A8 A8 A8 A8 A8 A8
A9 A9 A9 A9 A9 A9 A9
Vpp A11 A11 A11 A11 A11 A11
/OE /OE /OE /OE /OE /OE /OE
A10 A10 A10 A10 A10 A10 A10
/CE /CE /CE /CE /CE /CE /CE
D7 D7  D7 D7 D7 D7 D7
D6 D6 D6 D6 D6 D6 D6
D5 D5 D5 D5 D5 D5 D5
D4 D4 D4 D4 D4 D4 D4
D3 D3 D3 D3 D3 D3 D3
 
 EProm Vergleichstabelle
 

Das Pinout der Industrie-Standard ROM-Bausteine 

27(C)64 DIL-Gehäuse


 27(C)128  DIL-Gehäuse


27(C)256_DIL-Gehäuse

 27(C)512 DIL-Gehäuse


27(C)010 DIL-Gehäuse


W.Spieß 1/97